SH8M13GZETB - MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL

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MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SH8M13GZETB

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SH8M13GZETB
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : -
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 10V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SH8 , SH8M1

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