IPN80R750P7ATMA1 - COOLMOS P7 800V SOT-223

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COOLMOS P7 800V SOT-223
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPN80R750P7ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPN80R750P7ATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : COOLMOS P7 800V SOT-223
Séries : CoolMOS™ P7
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 140µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 500V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 7.2W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223
Paquet / caisse : TO-261-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPN80 , IPN80R75

Documents pour IPN80R750P7ATMA1

Feuilles de données : IPN80R750P7ATMA1.pdf

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