STL19N60M2 - MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT

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MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT
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Spécifications pour STL19N60M2

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STL19N60M2
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT
Séries : MDmesh™ M2
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 791pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 90W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerFlat™ (8x8) HV
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
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