NDD60N360U1T4G - MOSFET N-CH 600V 114A DPAK

Référence fabricant

NDD60N360U1T4G

Numéro de pièce interne

AX-NDD60N360U1T4G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 600V 114A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

20512 Pieces

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Spécifications pour NDD60N360U1T4G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NDD60N360U1T4G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 600V 114A DPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 114W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DPAK

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NDD6 , NDD60N3

Documents pour NDD60N360U1T4G

Feuilles de données : NDD60N360U1T4G.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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