RN2312(TE85L,F) - TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
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Brève description
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RN2312(TE85L,F)
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RN2312(TE85L,F)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V
Résistance - Base (R1) : 22 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : -
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition : 200MHz
Puissance - Max : 100mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SC-70, SOT-323
Package d'appareils du fournisseur : USM
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RN2312(TE85L,F)
Feuilles de données : RN2312(TE85L,F).pdf
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