IPA95R1K2P7XKSA1 - MOSFET N-CH 950V 6A TO252
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MOSFET N-CH 950V 6A TO252
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPA95R1K2P7XKSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPA95R1K2P7XKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 950V 6A TO252
Séries : CoolMOS™ P7
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 950V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 140µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 478pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 27W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220 Full Pack
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPA95R1K2P7XKSA1
Feuilles de données : IPA95R1K2P7XKSA1.pdf
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