PMDPB30XN,115 - MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
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MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMDPB30XN,115
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMDPB30XN,115
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21.7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 10V
Puissance - Max : 490mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-HUSON-EP (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PMDPB30XN,115
Feuilles de données : PMDPB30XN,115.pdf
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