FDS2170N3 - MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

Référence fabricant

FDS2170N3

Numéro de pièce interne

AX-FDS2170N3

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

68640 Pieces

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Spécifications pour FDS2170N3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDS2170N3

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 128 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1292pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDS , FDS2

Documents pour FDS2170N3

Feuilles de données : FDS2170N3.pdf

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