NVMD6P02R2G - MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC

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MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
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Spécifications pour NVMD6P02R2G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NVMD6P02R2G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 16V
Puissance - Max : 750mW
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NVM , NVMD6

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