NVMD6P02R2G - MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NVMD6P02R2G
Fabricant
Brève description
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour NVMD6P02R2G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NVMD6P02R2G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1700pF @ 16V
Puissance - Max :
750mW
Température de fonctionnement :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOIC
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NVMD6P02R2G
Feuilles de données :
NVMD6P02R2G.pdf
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CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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AVX Corporation |
CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 3300PF 100V BX 0805. |
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CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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