70T3339S200BCG - IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
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IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 70T3339S200BCG
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 70T3339S200BCG
Fabricant : IDT, Integrated Device Technology Inc
La description : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : SRAM
La technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous
Taille mémoire : 9Mb (512K x 18)
Fréquence d'horloge : 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 3.4ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.4V ~ 2.6V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 256-LBGA
Package d'appareils du fournisseur : 256-CABGA (17x17)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 70T3339S200BCG
Feuilles de données : 70T3339S200BCG.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7600PF 14KV SCREW. | ||
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