IRLMS1902TRPBF - MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
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Brève description
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRLMS1902TRPBF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRLMS1902TRPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.7W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
Micro6™(TSOP-6)
Paquet / caisse :
SOT-23-6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRLMS1902TRPBF
Feuilles de données :
IRLMS1902TRPBF.pdf
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