AS4C32M16SB-7TIN - IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
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Brève description
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C32M16SB-7TIN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C32M16SB-7TIN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM
Taille mémoire : 512Mb (32M x 16)
Fréquence d'horloge : 143MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 14ns
Temps d'accès : 5.4ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 54-TSOP II
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C32M16SB-7TIN
Feuilles de données : AS4C32M16SB-7TIN.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 40KV AXIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 40KV. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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