DMTH10H010SCT - MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T
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MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMTH10H010SCT
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMTH10H010SCT
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 56.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4468pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 187W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DMTH10H010SCT
Feuilles de données : DMTH10H010SCT.pdf
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