FDMS3660S - MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDMS3660S
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDMS3660S
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDMS3660S
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1765pF @ 15V
Puissance - Max : 1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur : Power56
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FDMS3660S
Feuilles de données : FDMS3660S.pdf
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