SIA912DJ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
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MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIA912DJ-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIA912DJ-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 6V
Puissance - Max : 6.5W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SIA912DJ-T1-GE3
Feuilles de données : SIA912DJ-T1-GE3.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 4700PF 14KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7600PF 18KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. | ||
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