IPI023NE7N3 G - MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
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MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPI023NE7N3 G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPI023NE7N3 G
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 75V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 273µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 37.5V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO262-3
Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPI0 , IPI023

Documents pour IPI023NE7N3 G

Feuilles de données : IPI023NE7N3 G.pdf

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