NDD03N60Z-1G - MOSFET N-CH 600V IPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NDD03N60Z-1G
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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9672 Pieces
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Spécifications pour NDD03N60Z-1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NDD03N60Z-1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 600V IPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 312pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 61W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NDD03N60Z-1G
Feuilles de données : NDD03N60Z-1G.pdf
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