SIR610DP-T1-RE3 - MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Référence fabricant

SIR610DP-T1-RE3

Numéro de pièce interne

AX-SIR610DP-T1-RE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SIR610DP-T1-RE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIR610DP-T1-RE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Séries : ThunderFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35.4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1380pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 104W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8

Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIR61 , SIR610D

Documents pour SIR610DP-T1-RE3

Feuilles de données : SIR610DP-T1-RE3.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
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WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
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GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.