TH58NVG2S3HBAI4 - 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
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Brève description
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TH58NVG2S3HBAI4
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TH58NVG2S3HBAI4
Fabricant : Toshiba Memory America, Inc.
La description : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Non-Volatile
Format de mémoire : FLASH
La technologie : FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire : 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge : -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 25ns
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 63-BGA
Package d'appareils du fournisseur : 63-BGA (9x11)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TH58NVG2S3HBAI4
Feuilles de données : TH58NVG2S3HBAI4.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 16KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 16KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 160PF 9KV AXIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7600PF 16KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 100PF 30KV AXIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 16KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 20KV. | ||
| AVX Corporation | CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. | ||
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