IPC045N10L3X1SA1 - MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1188205 Pieces
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Spécifications pour IPC045N10L3X1SA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IPC045N10L3X1SA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Séries :
OptiMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
1A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 33µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
-
Température de fonctionnement :
-
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
Sawn on foil
Paquet / caisse :
Die
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IPC045N10L3X1SA1
Feuilles de données :
IPC045N10L3X1SA1.pdf
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