SQ4532AEY-T1_GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
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MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
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Spécifications pour SQ4532AEY-T1_GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SQ4532AEY-T1_GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Puissance - Max : 3.3W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SQ4532AEY-T1_GE3
Feuilles de données : SQ4532AEY-T1_GE3.pdf
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