DLN10C-BT - DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-DLN10C-BT
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
18032 Pieces
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Spécifications pour DLN10C-BT
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DLN10C-BT
Fabricant : ON Semiconductor
La description : DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 980mV @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 200V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : R-1 (Axial)
Package d'appareils du fournisseur : -
Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DLN10C-BT
Feuilles de données : DLN10C-BT.pdf
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