2N6798 - MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-2N6798
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 2N6798
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 2N6798
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.29nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 800mW (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-39
Paquet / caisse : TO-205AF Metal Can
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 2N6798
Feuilles de données : 2N6798.pdf
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