IPZ40N04S55R4ATMA1 - MOSFET N-CH 8TDSON
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 8TDSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1262330 Pieces
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Spécifications pour IPZ40N04S55R4ATMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IPZ40N04S55R4ATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 8TDSON
Séries :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.4V @ 17µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
48W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TSDSON-8
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IPZ40N04S55R4ATMA1
Feuilles de données :
IPZ40N04S55R4ATMA1.pdf
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CAP CER 10000PF 20KV SCREW. |
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