IPD30N06S4L23ATMA1 - MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Référence fabricant

IPD30N06S4L23ATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPD30N06S4L23ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IPD30N06S4L23ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD30N06S4L23ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1560pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 36W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD30N , IPD30N06S

Documents pour IPD30N06S4L23ATMA1

Feuilles de données : IPD30N06S4L23ATMA1.pdf

Produits associés pour IPD30N06S4L23ATMA1 Infineon Technologies

Numéro d'article	Marque	La description
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BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
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WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.