SIB415DK-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

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MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
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Spécifications pour SIB415DK-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIB415DK-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 87 mOhm @ 4.17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.05nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 295pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-75-6L Single
Paquet / caisse : PowerPAK® SC-75-6L
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SIB41 , SIB415D

Documents pour SIB415DK-T1-GE3

Feuilles de données : SIB415DK-T1-GE3.pdf

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