MVB50P03HDLT4G - INTEGRATED CIRCUIT
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
INTEGRATED CIRCUIT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
22981 Pieces
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Spécifications pour MVB50P03HDLT4G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MVB50P03HDLT4G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
INTEGRATED CIRCUIT
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 5V
Vgs (Max) :
±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4.9nF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
125W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
D2PAK-3
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour MVB50P03HDLT4G
Feuilles de données :
MVB50P03HDLT4G.pdf
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CAP CER 6000PF 20KV SCREW. |
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CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
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