APTM60H23FT1G - MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTM60H23FT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTM60H23FT1G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5316pF @ 25V
Puissance - Max : 208W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP1
Package d'appareils du fournisseur : SP1
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : APTM , APTM60

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Feuilles de données : APTM60H23FT1G.pdf

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