BVSS138LT1G - MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

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MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
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Spécifications pour BVSS138LT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BVSS138LT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 225mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
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