TK8R2A06PL,S4X - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK8R2A06PL,S4X

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK8R2A06PL,S4X
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Séries : U-MOSIX-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 300µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 28.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1990pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 36W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220SIS
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK8R , TK8R2A0

Documents pour TK8R2A06PL,S4X

Feuilles de données : TK8R2A06PL,S4X.pdf

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