IXKC19N60C5 - MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220

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MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
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Spécifications pour IXKC19N60C5

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXKC19N60C5
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 100V
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : ISOPLUS220™
Paquet / caisse : ISOPLUS220™
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXK , IXKC1

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Feuilles de données : IXKC19N60C5.pdf

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