IXTP05N100P - MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263

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MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
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Spécifications pour IXTP05N100P

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTP05N100P
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
Séries : Polar™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 500mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 196pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXT , IXTP0

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