IPB015N04NGATMA1 - MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPB015N04NGATMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IPB015N04NGATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
Séries :
OptiMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
20000pF @ 20V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
250W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IPB015N04NGATMA1
Feuilles de données :
IPB015N04NGATMA1.pdf
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