IPT059N15N3ATMA1 - MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF

Référence fabricant

IPT059N15N3ATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPT059N15N3ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPT059N15N3ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPT059N15N3ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 150V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 155A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 150A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 92nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7200pF @ 75V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 375W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-HSOF-8-1

Paquet / caisse : 8-PowerSFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPT05 , IPT059N1

Documents pour IPT059N15N3ATMA1

Feuilles de données : IPT059N15N3ATMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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