IRL100HS121 - MOSFET N-CH 100V 6PQFN
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRL100HS121
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 6PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1007425 Pieces
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Spécifications pour IRL100HS121
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRL100HS121
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 100V 6PQFN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
11.5W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
6-PQFN (2x2)
Paquet / caisse :
6-VDFN Exposed Pad
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRL100HS121
Feuilles de données :
IRL100HS121.pdf
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