IRL100HS121 - MOSFET N-CH 100V 6PQFN

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MOSFET N-CH 100V 6PQFN
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRL100HS121

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRL100HS121
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 100V 6PQFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 11.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-PQFN (2x2)
Paquet / caisse : 6-VDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : IRL100HS121.pdf

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