EPC8002 - GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC8002
Fabricant
Brève description
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
327450 Pieces
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Spécifications pour EPC8002
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
EPC8002
Fabricant :
EPC
La description :
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Séries :
eGaN®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) :
65V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
21pF @ 32.5V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
-
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
Die
Paquet / caisse :
Die
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour EPC8002
Feuilles de données :
EPC8002.pdf
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AVX Corporation |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 2500PF 25KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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EPCOS (TDK) |
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