DMN61D9UDW-13 - MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
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MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN61D9UDW-13
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN61D9UDW-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 28.5pF @ 30V
Puissance - Max : 320mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : SOT-363
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DMN61D9UDW-13
Feuilles de données : DMN61D9UDW-13.pdf
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