PMV213SN,215 - MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23

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MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
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Spécifications pour PMV213SN,215

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMV213SN,215
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 280mW (Tj)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-236AB
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PMV2 , PMV213

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Feuilles de données : PMV213SN,215.pdf

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