SPB20N60S5ATMA1 - MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

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MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
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Spécifications pour SPB20N60S5ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SPB20N60S5ATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 103nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 208W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3-2
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SPB20 , SPB20N6

Documents pour SPB20N60S5ATMA1

Feuilles de données : SPB20N60S5ATMA1.pdf

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