DMN1150UFB-7B - MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
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MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN1150UFB-7B
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DMN1150UFB-7B
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
1.41A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
1.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
106pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
500mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquet / caisse :
3-UFDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour DMN1150UFB-7B
Feuilles de données :
DMN1150UFB-7B.pdf
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CAP CER 10PF 100V BP 0805. |
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AVX Corporation |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 3000PF 10KV. |
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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