TK35S04K3L(T6L1,NQ - MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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902715 Pieces
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Spécifications pour TK35S04K3L(T6L1,NQ
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TK35S04K3L(T6L1,NQ
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
Séries :
U-MOSIV
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
35A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.3 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1370pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
58W (Tc)
Température de fonctionnement :
175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DPAK+
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TK35S04K3L(T6L1,NQ
Feuilles de données :
TK35S04K3L(T6L1,NQ.pdf
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