NVMFS4C302NWFT1G - NFET SO8FL 30V 1.15MO

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NFET SO8FL 30V 1.15MO
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Spécifications pour NVMFS4C302NWFT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NVMFS4C302NWFT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : NFET SO8FL 30V 1.15MO
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 43A (Ta), 241A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5780pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.75W (Ta), 115W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NVMFS , NVMFS4C3

Documents pour NVMFS4C302NWFT1G

Feuilles de données : NVMFS4C302NWFT1G.pdf

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