DMP2007UFG-7 - MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8

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MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
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Spécifications pour DMP2007UFG-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMP2007UFG-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4621pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.3W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI3333-8
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMP2 , DMP200

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Feuilles de données : DMP2007UFG-7.pdf

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