RF4E075ATTCR - MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN

Référence fabricant

RF4E075ATTCR

Numéro de pièce interne

AX-RF4E075ATTCR

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RF4E075ATTCR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RF4E075ATTCR

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21.7 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : HUML2020L8

Paquet / caisse : 8-PowerUDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RF4E , RF4E07

Documents pour RF4E075ATTCR

Feuilles de données : RF4E075ATTCR.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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