SSM6L35FU(TE85L,F) - MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6

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MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
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Spécifications pour SSM6L35FU(TE85L,F)

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM6L35FU(TE85L,F)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180mA, 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9.5pF @ 3V
Puissance - Max : 200mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : US6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM6L3 , SSM6L35FU

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Feuilles de données : SSM6L35FU(TE85L,F).pdf

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