BSR316PH6327XTSA1 - MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
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MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSR316PH6327XTSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSR316PH6327XTSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 360mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 170µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 165pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 500mW (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SC-59
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BSR316PH6327XTSA1
Feuilles de données : BSR316PH6327XTSA1.pdf
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