FDMA6676PZ - MOSFET P-CH 30V 11A

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MOSFET P-CH 30V 11A
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDMA6676PZ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDMA6676PZ
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 30V 11A
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2160pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.4W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-MicroFET (2x2)
Paquet / caisse : 6-PowerWDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDM , FDMA6

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