BSM75GD120DN2BOSA1 - IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

Référence fabricant

BSM75GD120DN2BOSA1

Numéro de pièce interne

AX-BSM75GD120DN2BOSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

4008 Pieces

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Spécifications pour BSM75GD120DN2BOSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSM75GD120DN2BOSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type IGBT : -

Configuration : Three Phase Inverter

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 103A

Puissance - Max : 520W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 75A

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 1.5mA

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 5.1nF @ 25V

Contribution : Standard

Thermistance NTC : No

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Module

Package d'appareils du fournisseur : Module

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSM75G , BSM75GD12

Documents pour BSM75GD120DN2BOSA1

Feuilles de données : BSM75GD120DN2BOSA1.pdf

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