APTM100UM45DAG - MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

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MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTM100UM45DAG

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTM100UM45DAG
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Séries : POWER MOS 7®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 215A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 30mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1602nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 42700pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 5000W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur : SP6
Paquet / caisse : SP6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : APTM , APTM100

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