AS4C4M16D1A-5TAN - IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
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IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C4M16D1A-5TAN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C4M16D1A-5TAN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
Séries : Automotive, AEC-Q100
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR
Taille mémoire : 64Mb (4M x 16)
Fréquence d'horloge : 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 700ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 66-TSOP II
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C4M16D1A-5TAN
Feuilles de données : AS4C4M16D1A-5TAN.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 16KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 16KV SCREW. | ||
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| AVX Corporation | CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 16KV SCREW. | ||
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